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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 17 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 8.8 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2097 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in HF band Mobile radio applications) |
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| 2SC2098 | TOSHIBA |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SC2098 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC2098_13 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC2099 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) (LOW SUPPLY VOLTAGE USE) |
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| 2SC2100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-121VAR |
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| 2SC2101 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 2A I(C) | STX-8 |
|
| 2SC2102 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STX-8 |
|
| 2SC2103 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | STX-M4 |
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| 2SC2103A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | STX-8 |
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