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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1654-T2BN6 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLAST |
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| 2SC1655 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1656 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1656C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 30MA I(C) | MICRO-X |
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| 2SC1657 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1658 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1658C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 30MA I(C) | MICRO-TVAR |
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| 2SC1659 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1660 | ETC |
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Japanese 2S Transistor Cross Reference |
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| 2SC1660C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-100VAR |
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