生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.56 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 4.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 500 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 5 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 11000 ns | VCEsat-Max: | 10 V |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC1359 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) |
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2SC1359 | SECOS | NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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2SC1359 | ONSEMI | TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92, BIP General Purpose Small Sig |
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2SC1359 | SWST | 小信号晶体管 |
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2SC1359 | CJ | TO-92 |
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2SC1359B | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-226AA |
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