2SC1383

更新时间： 2024-09-25 04:25:55

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TRSYS		晶体晶体管
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Plastic-Encapsulate Transistors

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2SC1383 数据手册

Transys

Electronics

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

2SC1383

2SC1384

FEATURE

TRANSISTOR (NPN)

TO-92L

1. EMITTER

Power dissipation

P_CM:

2. COLLECTOR

W (Tamb=25℃)

3. BASE

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

2SC1383:

2SC1384:

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

2SC1383

2SC1384

2SC1383

2SC1384

V(BR)_CBO

Ic= 10µA , I_E=0

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)_CEO

I_C=2mA , I_B=0

V(BR)_EBO

I_CBO

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E= 10µA, I_C=0

V_CB=20V , I_E=0

0.1

µA

h_FE(1)

V_CE=10 V, I_C= 500mA

V_CE=5 V, I_C= 1A

340

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C= 500m A, I_B=50mA

I_C= 500mA , I_B= 50mA

0.4

1.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE= 10 V, I_C= 50mA

100

MHz

Transition frequency

f _T

CLASSIFICATION OF h^FE

(1)

Rank

85-170

120-240

170-340

Range

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