2SB921

更新时间： 2024-11-22 06:17:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	234K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB921 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB921 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB921

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= -7A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= -0.5V(Max)@I_C= -4A

·Complement to Type 2SD1237

APPLICATIONS

·Designed for large current switching of relay drivers, high-

speed inverters, converters applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-80

UNIT

-6

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-7

I_CM

-12

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Total Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.75

150

T_J

Junction Temperature

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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