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2SB922

更新时间： 2024-11-22 06:20:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	229K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB922 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SB922 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB922

DESCRIPTION

·High Collector Current:: I_C= -12A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= -0.5V(Max)@I_C= -6A

·Complement to Type 2SD1238

APPLICATIONS

·Designed for large current switching of relay drivers, high-

speed inverters, converters applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-80

UNIT

-6

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

I_CM

-20

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB922L	SANYO	获取价格	80V/12A Switching Applications
2SB922LQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-247VAR
2SB922LR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-247VAR
2SB922LS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-247VAR
2SB922R	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,12A I(C),TO-218VAR
2SB922S	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,12A I(C),TO-218VAR
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