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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SB829-R | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB829S | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB831 | HITACHI | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB831 | RENESAS | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB831 | KEXIN | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB831 | TYSEMI | Low frequency amplifier. Collector to base voltage VCBO -25 V |
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