2SB772-R-BP

更新时间： 2024-11-18 13:04:15

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	284K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SB772-R-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2SB772-R-BP 数据手册

2SB772-R

2SB772-O

2SB772-Y

2SB772-GR

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.

Collector-current 3.0A

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =10mAdc, I =0)

ꢀ

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V _CB=40Vdc, I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V _CE=30Vdc, I_B=0)

---

Vdc

ꢀ

1.0

uAdc

I_CEO

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V _EB=6.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h _FE(1)

DC Current Gain

(I =1.0Adc, V_CE=2.0Vdc)

DC Current Gain

---

400

---

h _FE(2)

(I =100mAdc, V_CE=2.0Vdc)

---

V _CE(sat)

V _BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=2.0Adc, I_B=0.2Adc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I _C=2.0Adc, I_B=0.2Adc)

0.5

2.0

Vdc

---

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

EMITTER

COLLECTOR

BASE

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f _T

Transistor Frequency

DIMENSIONS

(I _C=0.1Adc, V_CE=5.0Vdc, f=10MHz)

---

MHz

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

ꢇꢇꢆ

ꢈꢀꢇꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

7.40

10.60

15.30

3.90

3.00

0.66

1.17

ꢇꢉꢊꢆ

ꢁꢋꢌꢄꢆ

CLASSIFICATION OF HFE (1)

ꢉꢆ

ꢍ

0.291

0.417

0.602

ꢎꢏꢐꢑ4

0.118

0.026

0.046

0.307ꢆ

0.433

0.618

ꢎꢏꢐꢒ1

0.126

0.034

0.054

7.80

11.00

15.70

4.10

3.20

0.86

1.37

Rank

Range

200-400

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

ꢓ

60-120

100-200

160-320

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

ꢔ

ꢕꢆ

0.090TYP

0.098

2.290TYP

2.50

ꢖꢆ

0.114

2.90

0.083

0.000

0.043

0.091

0.012

0.059

2.10

0.00

1.10

2.30

0.30

1.50

0.018

0.024

0.45

0.60

www.mccsemi.com

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Revision: A

2011/01/01

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