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2SB766

更新时间： 2025-09-22 18:54:03

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南晶电子 - DGNJDZ		/
页数	文件大小	规格书
4页	394K
描述
Pcm(mW) : 500; Ic(mA) : 1000; BVCBO(V) : 30; BVCEO(V) : 25; BVEBO(V) : 5; Min : 85; Max : 340; VCE (sat) (v) : 10; Package Outline : SOT-89;

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2SB766 数据手册

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

Silicon PNP epitaxial planer transistor

2SB766

FEATURES

Large collector power dissipation P_C.

Mini Power type package,allowing

downsizing of the equipment and automatic

insertion through the tape packing and the

magazine packing.

SOT-89

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SB766

Marking

Package Code

SOT-89

AQ/AR/AS

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base voltage

-30

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

-25

-5

Collector current

-1

I_CP

Peak collector current

-1.5

500

P_C

Collector power dissipation

Junction and storage temperature

℃

T_j,T_stg

-55 to+150

www.dgnjdz.com

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