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2SB757_15

更新时间： 2024-09-17 01:20:35

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Silicon PNP Power Transistors

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2SB757_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB757

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High collector current

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SD847

APPLICATIONS

·Audio amplifications

·Serie regulators

·General purpose power amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-40

UNIT

Open base

-40

Open collector

-5

-15

I_B

Base current

-5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-C}

1.56

℃/W

12 3

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