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2SB762_2014

更新时间： 2022-02-26 13:39:39

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB762_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB762 2SB762A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD857/857A

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2SB762

2SB762A

2SB762

2SB762A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collectorl power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-8

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

12 3

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