2SB745AQ

更新时间： 2024-11-09 13:02:39

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松下 - PANASONIC		/
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3页	53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN

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2SB745AQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB745AQ 数据手册

Transistor

2SB745, 2SB745A

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Complementary to 2SD661 and 2SD661A

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

Features

Low noise voltage NV.

■

1.5 R0.9

1.0

R0.9

●

High foward current transfer ratio h_FE

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.7

0.85

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.55±0.1

0.45±0.05

Parameter

Symbol

Ratings

–35

Unit

Collector to

2SB745

2SB745A

2SB745

V_CBO

base voltage

Collector to

–55

–35

V_CEO

2.5

emitter voltage 2SB745A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–55

V_EBO

I_CP

I_C

–5

˚C

1:Base

–200

–50

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

V_CB= –10V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –10V, I_B= 0

µA

Collector to base

voltage

2SB745

2SB745A

–35

–55

–35

–55

–5

V_CBO

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SB745

V_CEO

V_EBO

I_C= –2mA, I_B= 0

voltage

2SB745A

Emitter to base voltage

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CB= –5V, I_E= 2mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

V_CE= –1V, I_C= –100mA

180

700

– 0.6

–1

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter voltage

Transition frequency

V_BE

f_T

– 0.7

150

V_CB= –5V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CE= –10V, I_C= –1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

MHz

Noise voltage

150

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

12 3

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