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2SB753_15

更新时间： 2024-09-17 01:20:35

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB753_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB753

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD843

·Low collector saturation voltage

·High power dissipation

APPLICATIONS

·High current switching applications

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-100

-80

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-5

-7

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-50~150

12 3 4

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