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2SB745S

更新时间： 2024-11-09 20:00:55

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	220K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN

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2SB745S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB745S 数据手册

Transistors

2SB0745, 2SB0745A (2SB745, 2SB745A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency and low-noise amplification

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ Features

• Low noise voltage NV

• High forward current transfer ratio h_FE

• M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.9

R 0.7

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

Parameter

Symbol

Rating

−35

Unit

2SB0745

2SB0745A

2SB0745

2SB0745A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

−55

V_CEO

−35

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Base

(2.5) (2.5)

−55

2: Collector

3: Emitter

M-A1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−50

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−200

400

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−35

−55

−35

−55

−5

Typ

Max

Unit

2SB0745

2SB0745A

2SB0745

2SB0745A

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

V_EBO

V_BE

I_CBO

I_CEO

h_FE

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CE= −1 V, I_C= −100 mA

V_CB= −10 V, I_E= 0

− 0.7

−1.0

− 0.1

−1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

µA



V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −5 V, I_C= −2 mA

180

700

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.6

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

150

MHz

Noise voltage

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

180 to 360

260 to 520

360 to 700

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00050BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB745T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71
2SB747	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
2SB747	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB750	ETC	获取价格	Si PNP Epitaxial Planar Darlington
2SB750A	ETC	获取价格	Si PNP Epitaxial Planar Darlington
2SB751	PANASONIC	获取价格	Si PNP EPITAXIAL PLANNAR DARLINGTON
2SB751A	PANASONIC	获取价格	Si PNP EPITAXIAL PLANNAR DARLINGTON
2SB751Q	SWST	获取价格	功率三极管
2SB751U	SWST	获取价格	功率三极管
2SB753	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors

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