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2SB624BV2

更新时间: 2024-11-17 23:20:07
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 260K
描述
BJT

2SB624BV2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.22最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):135JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):160 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

2SB624BV2 数据手册

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