2SB1488

更新时间： 2024-11-05 22:52:39

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松下 - PANASONIC		晶体开关小信号双极晶体管电源开关
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描述
Silicon PNP triple diffusion planer type(For power switching)

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2SB1488 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
最大关闭时间（toff）：	7500 ns	最大开启时间（吨）：	1000 ns
Base Number Matches：	1

2SB1488 数据手册

Transistor

2SB1488

Silicon PNP triple diffusion planer type

Unit: mm

2.5±0.1

For power switching

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

High foward current transfer ratio h_FE

High-speed switching.

High collector to base voltage V_CBO

Allowing supply with the radial taping.

■

●

0.65 max.

●

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

2.5±0.5 2.5±0.5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–400

–7

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

the upper figure, the 3:Base

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

–1

I_C

– 0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

1.2±0.1

T_stg

–55 ~ +150

0.65

max.

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= –400V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

–1

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

V_CE= –100V, I_B= 0

V_BE= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

I_C= –1mA, I_B= 0

–400

h_FE1

h_FE2

V_CE= –5V, I_C= –50mA

280

Forward current transfer ratio

V_CE= –5V, I_C= –300mA^*2

I_C= –100mA, I_B= –10mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 0.1A, f = 1MHz^*2

I_C= –100mA, R_L= 1.5kΩ

I_B1= –10mA, I_B2= 10mA

V_CC= –150V

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.25

– 0.8

– 0.5

–1.2

Transition frequency

Turn-on time

f_T

MHz

µs

t_on

t_stg

t_f

0.4

1.0

6.5

1.0

Storage time

5.5

µs

Collector current fall time

Collector output capacitance

0.5

µs

C_ob

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

80 ~ 160

130 ~ 280

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