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2SB1490

更新时间： 2024-11-20 22:09:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

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2SB1490 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3LA1
包装说明：TOP-3L-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：5000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz

2SB1490 数据手册

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Power Transistors  
2SB1490  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
Complementary to 2SD2250  
3.0  
Features  
Optimum for 80W HiFi output  
■
●
●
High foward current transfer ratio hFE  
1.5  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): < –2.5V  
1.5  
2.0±0.3  
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1.0±0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–160  
–140  
–5  
Unit  
V
0.6±0.2  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
5.45±0.3  
10.9±0.5  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
V
–12  
A
1
2
3
TOP–3L Package  
IC  
–7  
A
Collector power TC=25°C  
90  
Internal Connection  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.5  
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
B
Tstg  
–55 to +150  
E
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
VCB = –160V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VCE = –140V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter voltage  
IC = –30mA, IB = 0  
140  
2000  
5000  
VCE = –5V, IC = –1A  
VCE = –5V, IC = –6A  
IC = –6A, IB = –6mA  
IC = –6A, IB = –6mA  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
30000  
–2.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
–3.0  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
20  
MHz  
µs  
1.0  
1.5  
1.2  
IC = –6A, IB1 = –6mA, IB2 = 6mA,  
VCC = –50V  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
5000 to 15000 8000 to 30000  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1490P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SB1490Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SB1492 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1492 NJSEMI

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 		Silicon PNP Darlington Power Transistor
2SB1492P PANASONIC

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2SB1493P PANASONIC

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2SB1494 RENESAS

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 		Silicon PNP Triple Diffused

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