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2SB1485M/Q

更新时间: 2024-11-21 19:10:47
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB1485M/Q 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:0.35 VBase Number Matches:1

2SB1485M/Q 数据手册

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