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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1308-Q-TP
2SB1308-Q-TP PDF预览

2SB1308-Q-TP

更新时间： 2024-11-23 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SB1308-Q-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2SB1308-Q-TP 数据手册

 浏览型号2SB1308-Q-TP的Datasheet PDF文件第2页 
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M C C  
2SB1308-P  
2SB1308-Q  
2SB1308-R  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
•
•
•
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25?)  
Collector current: ICM = -3A  
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -30V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55? to + 150?  
SOT-89  
A
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
K
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
(IC=-50IA, IE=0)  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
-20  
---  
---  
V
Collector-Base Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
E
-30  
---  
---  
V
C
Emitter-Base Voltage  
(IE=-50IA, IC=0)  
-6.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
V
D
Collector cut-off Current  
(VCB=-20V, IE=0)  
---  
---  
82  
---  
50  
-0.5  
-0.5  
390  
-0.45  
---  
IA  
IA  
G
H
J
Emitter cut-off Current  
(VEB=-5V, IC=0)  
DC current gain  
(VCE=-2V, IC=-0.5A)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-1.5A, IB=-0.15A)  
F
IEBO  
hFE  
---  
V
VCE(sat)  
Transition Frequency  
(VCE=-6.0Vdc, IC=-50Adc,f=30MHz)  
1
2
3
MHz  
fT  
1.BASE  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
BFP  
120-270  
BFQ  
180-390  
BFR  
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www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与2SB1308-Q-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1308-Q-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1308R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1308-R MCC

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 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1308-R-T MCC

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 		Transistor
2SB1308-R-TP MCC

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 		暂无描述
2SB1308-R-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1308T100 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1308T100/P ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1308T100/PQ ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1308T100/PR ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3

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