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2SB1308T100Q

更新时间: 2024-11-20 20:17:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SB1308T100Q 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.65
最大集电极电流 (IC):3 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB1308T100Q 数据手册

  
2SB1308  
2SD1963  
Transistors  
290  

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