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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1308T101Q | ROHM |
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3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1308T101R | ROHM |
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3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1309 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126 |
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| 2SB1309P | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1309R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SB1310 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, |
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| 2SB1311 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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| 2SB1314 | ISAHAYA |
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SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION |
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| 2SB1314E | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SB1314F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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