5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1309R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| 2SB1310 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, |
|
| 2SB1311 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
|
| 2SB1314 | ISAHAYA |
获取价格 |
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION |
|
| 2SB1314E | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1314F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1315 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1316 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor (−100V , −2A) |
|
| 2SB1316A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SB1316B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
