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2SB1308T100/Q

更新时间： 2024-11-20 15:25:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 60K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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2SB1308T100/Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.32外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：0.45 V
Base Number Matches：1

2SB1308T100/Q 数据手册

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2SB1308  
Transistors  
Power transistor (−50V, −3A)  
2SB1308  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage, typically  
VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Complements the 2SD1963.  
MPT3  
4.5  
1.6  
1.5  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−30  
−20  
−6  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
−3  
A(DC)  
Collector current  
IC  
−5  
A(Pulse)  
1
2
∗
∗
0.5  
2.0  
150  
W
W
°C  
Collector power dissipation  
PC  
Junction temperature  
Storage temperature  
1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
Tstg  
−55 to 150  
°C  
∗
∗
2 When mounted on a 40  
×
40×  
0.7 mm ceramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
−30  
−20  
−6  
−
−
−
−
−
V
V
V
I
I
I
C
= −50  
= −1mA  
= −50  
µ
A
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
E
µ
A
I
CBO  
EBO  
−
−0.5  
−0.5  
390  
−0.45  
−
µ
A
V
V
V
CB= −20V  
EB= −5V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
µA  
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
hFE  
82  
−
−
−
CE= −2V, I = −0.5A  
C
∗
∗
V
CE(sat)  
−
V
I
C
/I  
CE= −6V, I  
CB= −20V, I  
B
= −1.5A/ −0.15A  
=50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
−
120  
60  
MHz  
pF  
V
V
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Measured using pulse current.  
∗
Rev.A  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1308T100/QR ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1308T100/R ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1308T100P ROHM

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 		Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1308T100Q ROHM

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