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2SB1260L-R-AB3-R

更新时间： 2024-11-18 04:25:51

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友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管
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POWER TRANSISTOR

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2SB1260L-R-AB3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1260L-R-AB3-R 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors

2SB1260

TRANSISTOR (PNP)

SOT-89

FEATURES

1. BASE

Power dissipation

P_CM:

Collector current

I_CM:

0.5

-1

W (Tamb=25℃)

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-80

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-50µA , I_E=0

MIN

-80

-5

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1mA , I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-60 V , I_E=0

V_EB=-4 V , I_C=0

-1

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

_CE=-3V, I_C= -0.1A

390

-0.4

V_CE(sat)

I_C=-500 mA, I_B= -50mA

V_CE= -5V, I_C=- 50mA

Collector-emitter saturation voltage

MHz

Transition frequency

f _T

f = 30MHz

CLASSIFICATION OF h^FE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

Marking

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2SB1260P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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