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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SB1205T-E
2SB1205T-E PDF预览

2SB1205T-E

更新时间： 2024-11-18 12:36:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 476K
描述
Strobe High-Current Switching Applications

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2SB1205T-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.86Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-609代码：e6
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：1

2SB1205T-E 数据手册

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Ordering number : EN2114C  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SB1205  
Strobe High-Current Switching Applications  
Applications  
•
Flash, voltage regulators, relay drivers, lamp drivers  
Features  
•
•
•
•
•
Adoption of FBET, MBIT processes  
Fast switching speed  
Low saturation voltage  
Large current capacity  
Small and slim package making it easy to make 2SB1205-applied sets smaller  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
--25  
--20  
-- 5  
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
C
-- 5  
A
Collector Current (Pulse)  
I
CP  
-- 8  
A
Continued on next page.  
unit : mm (typ)  
unit : mm (typ)  
Package Dimensions  
Package Dimensions  
7518-003  
7003-003  
2.3  
0.5  
6.5  
5.0  
6.5  
5.0  
4
2.3  
0.5  
2SB1205S-E  
2SB1205T-E  
2SB1205S-TL-E  
2SB1205T-TL-E  
4
0.5  
0.85  
0.85  
0.7  
1.2  
0.5  
1
2
3
0.6  
0 to 0.2  
1.2  
0.6  
1 : Base  
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
4 : Collector  
2 : Collector  
3 : Emitter  
4 : Collector  
1
2
3
2.3 2.3  
SANYO : TP-FA  
2.3  
2.3  
SANYO : TP  
Product & Package Information  
• Package : TP  
• Package : TP-FA  
•
•
JEITA, JEDEC : SC-64, TO-251  
500 pcs./bag  
•
•
JEITA, JEDEC : SC-63, TO-252  
Minimum Packing Quantity : 700 pcs./reel  
Minimum Packing Quantity  
:
Marking  
(TP, TP-FA)  
Packing Type (TP-FA) : TL  
Electrical Connection  
2,4  
B1205  
1
RANK  
LOT No.  
TL  
3
http://www.sanyosemi.com/en/network/  
No.2114-1/9  
D0512 TKIM TC-00002845/N2503TN (KT)/92098HA (KT)/8219MO/4137KI/4116KI, TS  
1234567...9

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与2SB1205T-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1205T-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Strobe High-Current Switching Applications
2SB1205TTP ONSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP, 3 PIN
2SB1207 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SB1207R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
2SB1207S PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
2SB1208TX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1209 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP triple diffusion planer type(For low-frequency amplification)
2SB1212 ROHM

获取价格

 		1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SB1212/N ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SB1212/NP ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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