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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 320 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1205-T | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1205T(TP) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251VAR |
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| 2SB1205T(TP-FA) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR |
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| 2SB1205T-E | ONSEMI |
获取价格 |
Strobe High-Current Switching Applications |
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| 2SB1205T-TL-E | ONSEMI |
获取价格 |
Strobe High-Current Switching Applications |
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| 2SB1205TTP | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP, 3 PIN |
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| 2SB1207 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
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| 2SB1207R | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, |
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| 2SB1207S | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, |
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| 2SB1208TX | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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