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2SB1197K

更新时间： 2024-02-03 17:03:28

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
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描述
Low Frequency Transistor

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2SB1197K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1197K 数据手册

SMD Type

Transistors

Low Frequency Transistor

2SB1197K

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

Features

+0.1

0.4

-0.1

Low VCE(sat).VCE(sat)

IC = -0.8A.

-0.5V IC / IB= -0.5A / -50mA

PNP silicon transistor

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base Voltage

Collector-emitter Voltage

Emitter-base Voltage

Symbol

Rating

-40

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-32

-5

Collector current

-0.8

Collector power dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

0.2

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltae

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

-40

-32

-5

IC = -50

IC = -1mA

IE = -50

VCB = -20V

VEB = -4V

-0.5

390

Emitter cutoff current

IEBO

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC current transfer ratio

VCE(sat) IC = -0.5A , IB = -50mA

hFE

Cob

VCE = -3V , IC = -100mA

120

Output Capacitance

VCB = -10V , IE = 0A , f = 1MHz

Transition frequency

VCE = -5V , IE = 50mA , f = 100MHz

200

MHz

hFE Classification

Marking

Rank

AHQ

AHR

hFE

120 270

180 390

www.kexin.com.cn

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