5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1186A_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1186A_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1186AC7/D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SB1186AC7/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SB1186AC7/E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SB1186AC7F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SB1186AD | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1186AE | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1186AE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| 2SB1186C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
