2SB1187

更新时间： 2024-01-21 17:18:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	122K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1187 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220FP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1187 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1187

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Low saturation voltage

·Complement to type 2SD1761

·Excellent DC current gain characteristics

·Wide safe operating area

APPLICATIONS

·For low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-60

Open collector

-5

Collector current (DC)

Collector current-Peak

-3

I_CM

-6

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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