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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1186AC7/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186AC7/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186AC7F | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186AD | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SB1186AE | ISC |
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Transistor |
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| 2SB1186AE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186C7 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186C7/D | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186C7/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| 2SB1186C7/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Pla |
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