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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1130MQ | ROHM |
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1500mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1130MR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SB1131 | SANYO |
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Strobe,High-Current Switching Applications |
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| 2SB1131R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92VAR |
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| 2SB1131-R | ONSEMI |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
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| 2SB1131S | ONSEMI |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
|
| 2SB1131T | ONSEMI |
获取价格 |
5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
|
| 2SB1132 | TYSEMI |
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Low VCE(sat) Compliments to 2SD1664 Collector-Base Voltage VCBO -40 V |
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| 2SB1132 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| 2SB1132 | WILLAS |
获取价格 |
SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors |
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