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2SB1132

更新时间： 2024-01-07 10:20:40

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描述
TRANSISTOR (PNP)

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2SB1132 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SB1132 数据手册

RoHS

2SB1132

SOT-89

1. ^BASE

2SB1132 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

0.5

-1

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO-40

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-50µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

MIN

-40

-32

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=-50µA, I_C=0

µA

V_CB=-20V, I_E=0

-0.5

390

-0.5

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-4V, I_C=0

h_FE(1)

DC current gain

V_CE=-3V, I_C=-100mA

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-500mA, I_B=-50mA

MHz

f_T

V_CE=-5V, I_C=-50mA, f=30MHz

150

C_ob

Collector output capacitance

_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

82-180

120-270

BAQ

180-390

Marking

BAP

BAR

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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