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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1130MR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SB1131 | SANYO |
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Strobe,High-Current Switching Applications |
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| 2SB1131R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92VAR |
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| 2SB1131-R | ONSEMI |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
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| 2SB1131S | ONSEMI |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
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| 2SB1131T | ONSEMI |
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5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN |
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| 2SB1132 | TYSEMI |
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Low VCE(sat) Compliments to 2SD1664 Collector-Base Voltage VCBO -40 V |
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| 2SB1132 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| 2SB1132 | WILLAS |
获取价格 |
SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SB1132 | LGE |
获取价格 |
暂无描述 |
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