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2SB1131-R

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN

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2SB1131-R 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.32最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：320 MHz
Base Number Matches：1

2SB1131-R 数据手册

 浏览型号2SB1131-R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1131-R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1131-R的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number:ENN2420B  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SB1131  
Strobe, High-Current Switching Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Strobes, power supplies, relay drivers, lamp drivers.  
2006B  
Features  
[2SB1131]  
6.0  
5.0  
· Adoption of FBET, MBIT processes.  
· Low saturation voltage.  
· Large current capacity.  
· Fast switching time.  
4.7  
0.5  
0.6  
0.5  
0.5  
2
3
1
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
1.45  
1.45  
SANYO : MP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Collector-to-Base Voltage  
V
–25  
–20  
–5  
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
CEO  
V
EBO  
I
–5  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
–8  
A
CP  
P
C
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
=–20V, I =0  
–500  
–500  
400*  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=–4V, I =0  
EBO  
C
h
1
=–2V, I =–500mA  
100*  
60  
FE  
FE  
C
h
2
=–2V, I =–4A  
C
Gain-Bandwidth Product  
f
=–5V, I =–200mA  
320  
MHz  
T
C
* : The 2SB1131 is classified by 500mA h as follows :  
Continued on next page.  
FE  
Rank  
R
S
T
h
100 to 200 140 to 280 200 to 400  
FE  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O2003TN (KOTO)/92098HA (KT)/8270MH/5217TA, TS No.2420–1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1131S ONSEMI

获取价格

 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN
2SB1131T ONSEMI

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 		5000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN
2SB1132 TYSEMI

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2SB1132 WINNERJOIN

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