5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB1030Q
2SB1030Q PDF预览

2SB1030Q

更新时间： 2024-02-26 19:36:50
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1030Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB1030Q 数据手册

 浏览型号2SB1030Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1030Q的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1030, 2SB1030A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1423 and 2SD1423A  
4.0±0.2  
Features  
Optimum for high-density mounting.  
■
●
●
Allowing supply with the radial taping.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–30  
Unit  
marking  
Collector to  
2SB1030  
2SB1030A  
2SB1030  
VCBO  
V
1
2
3
base voltage  
Collector to  
–60  
–25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB1030A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–50  
1.27 1.27  
2.54±0.15  
VEBO  
ICP  
IC  
–7  
V
A
–1  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
– 0.5  
300  
A
EIAJ:SC–72  
New S Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
– 0.1  
–1  
Unit  
µA  
VCB = –20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –20V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SB1030  
2SB1030A  
–30  
–60  
–25  
–50  
–7  
VCBO  
IC = –10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SB1030  
VCEO  
VEBO  
IC = –2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SB1030A  
Emitter to base voltage  
IE = –10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –10V, IC = –150mA*2  
VCE = –10V, IC = –500mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
85  
340  
– 0.6  
15  
Forward current transfer ratio  
40  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
– 0.35  
200  
6
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SB1030Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1030R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK
2SB1030S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK
2SB1031 HITACHI

获取价格

 		SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING
2SB1031K HITACHI

获取价格

 		LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K
2SB1032 HITACHI

获取价格

 		Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032(K) HITACHI

获取价格

 		Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032K HITACHI

获取价格

 		Silicon PNP Triple Diffused
2SB1032K-E RENESAS

获取价格

 		10A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1033 Wing Shing

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
2SB1033 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors

与2SB1030Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证