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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1032K | HITACHI |
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Silicon PNP Triple Diffused |
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| 2SB1032K-E | RENESAS |
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10A, 120V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1033 | Wing Shing |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
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| 2SB1033 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1033 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1033 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1033_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1033_2014 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB1033E | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB1033F | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
|
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