2SB1033

更新时间： 2024-11-27 07:29:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1033 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1033

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SD1437

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-5

-3

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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