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2SB1021_2014

更新时间： 2024-11-09 01:19:15

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1021_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1021

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·Complement to type 2SD1416

APPLICATIONS

·High power switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-5

-7

I_B

Base current

-0.2

2.0

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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