2SB1024

更新时间： 2024-11-20 06:25:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	77K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB1024 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB1024 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1024

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.5V(Max.)@ I_C= -3A

·High DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min)@ (V_CE= -2V, I_C= -1A)

·Complement to Type 2SD1414

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-80

UNIT

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-4

I_CM

-6

I_B

-0.3

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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