2SB1023

更新时间： 2024-11-24 07:29:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	36K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1023 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1023 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1023

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·Complement to type 2SD1413

APPLICATIONS

·Power amplifier and switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-40

Open collector

-5

-3

I_B

Base current

-0.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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