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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.85 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1024_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1024_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1025 | TYSEMI |
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Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO -120 V |
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| 2SB1025 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1025 | KEXIN |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1025 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1025_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1025DH | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
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| 2SB1025-DH | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SB1025DHTL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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