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2SB1001BJTR-E

更新时间： 2024-09-18 06:24:51

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管 ISM频段放大器
页数	文件大小	规格书
6页	65K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SB1001BJTR-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1001BJTR-E 数据手册

2SB1001

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0659-0200

(Previous ADE-208-1034)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SD1367

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

(Package name: UPAK ^R

)

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector (Flange)

*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

Ratings

Unit

–20

V_CEO

–16

V_EBO

–6

I_C

–2

Collector peak current

i_C(peak)

P_C*²

–3

Collector power dissipation

Junction temperature

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 × 20 × 0.7 mm)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1001BJUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3
2SB1001BJUR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3
2SB1001BJUR	RENESAS	获取价格	2000mA, 16V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3
2SB1001-H	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1001-HF_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
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