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2SB0939AQ

更新时间: 2024-02-25 19:20:42
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-262VAR

2SB0939AQ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

2SB0939AQ 数据手册

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Power Transistor  
2SB0939, 2SB0939A  
Rth(t) — t  
103  
102  
10  
(1) Without heat sink  
(2) With a 50 × 50 × 2mm Al heat sink  
(1)  
(2)  
1
10–1  
10–2  
10–4  
10–3  
10–2  
10–1  
1
10  
102  
103  
104  
( )  
s
Time  
t
3

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