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2SB0774S

更新时间： 2024-01-01 12:38:26

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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3页	62K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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2SB0774S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0774S 数据手册

Transistor

2SB0774 (2SB774)

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Unit: mm

4.0 0.2

5.0 0.2

Features

High emitter to base voltage V_EBO

Protective diodes and resistances between emitter and base can

be omitted.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–30

Unit

0.45–⁺0⁰.^.1²

0.45⁺^–0⁰^.^.¹²

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–25

1.27

–15

–200

˚C

1 2 3

1:Emitter

I_C

–100

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

2.54 0.15

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

–1

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –20V, I_B= 0

–100

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–30

–25

–15

210

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= –10V, I_C= –2mA

V_CE= –2V, I_C= –100mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

V_CB= –10V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

460

Forward current transfer ratio

h_FE2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

–0.5

MHz

Transition frequency

f_T

150

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

210 ~ 340

290 ~ 460

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3

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