Datasheet > 2SB0621A|2SB621A

2SB0621A|2SB621A

更新时间： 2024-10-13 23:20:03

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管信号器
页数	文件大小	规格书
4页	94K
描述
Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0621A|2SB621A 数据手册

Transistors

2SB0621 (2SB621), 2SB0621A (2SB621A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency driver amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD0592 (2SD592), 2SD0592A (2SD592A)

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High transition frequency f_T

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−30

Unit

2SB0621

2SB0621A

2SB0621

2SB0621A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

+0.15

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

−60

2.5

–0.2

V_CEO

−25

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Emitter

2 3

−50

2: Collector

3: Base

EIAJ: SC-43A

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1

TO-92-B1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−1.5

750

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−30

−60

−25

−50

−5

Typ

Max

Unit

2SB0621

2SB0621A

2SB0621

2SB0621A

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio

V_EBO

I_CBO

I_E= −10 µA, I_C= 0

µA



V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −500 mA

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

340

h_FE2



Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

− 0.85 −1.2

200

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

85 to 170

120 to 240

170 to 340

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: February 2003

SJC00044CED

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SB0621A|2SB621A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0621AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0621AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0621AS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0621Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0621R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0621S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SB0642	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
2SB0642(2SB642)	ETC	获取价格	小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅
2SB0642\|2SB642	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0642Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71

与2SB0621A|2SB621A相关文章

意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

9
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

13
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

14
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
2024-10-08

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0621A|2SB621A

2SB0621A|2SB621A 数据手册

与2SB0621A|2SB621A相关器件

与2SB0621A|2SB621A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0621A|2SB621A

2SB0621A|2SB621A 数据手册

与2SB0621A|2SB621A相关器件

与2SB0621A|2SB621A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？