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2SB0621(2SB621)

更新时间： 2024-10-13 23:20:03

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小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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2SB0621(2SB621) 数据手册

トランジスタ

2SB0621 (2SB621), 2SB0621A (2SB621A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

低周波出力増幅用

Unit : mm

2SD0592 (2SD592), 2SD0592A (2SD592A)とコンプリメンタリ

5.0 0.2

4.0 0.2

■ 特ꢀ長

•

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V_CE(sat)が低い

トランジション周波数f_Tが高い

0.7 0.1

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

−30

−60

−25

−50

−5

単位

2SB0621

2SB0621A

2SB0621

2SB0621A

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

+0.15

0.45

–0.1

(E開放時)

+0.6

2.5

–0.2

2.5

–0.2

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

2 3

電圧(B 開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

EIAJ : SC-43A

TO-92-B1 Package

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−1

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−1.5

750

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0621

2SB0621A

2SB0621

2SB0621A

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

−30

−60

−25

−50

−5

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

V_EBO

I_E= −10 µA, I_C= 0

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

µA

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −500 mA

340



h_FE2

V_CE= −5 V, I_C= −1 A



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.4

− 0.85 −1.2

200

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

85 ∼ 170

120 ∼ 240

170 ∼ 340

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2003年2月

SJC00044CJD

12 3 4

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2SB0621A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB0621A(2SB621A)	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0621A\|2SB621A	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0621AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
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