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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.19 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA956 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA956H4 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
|
| 2SA956H5 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| 2SA957 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA957 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA957 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA957 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 30V 0.8A Ammo |
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| 2SA958 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA958 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA958 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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