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2SA957

更新时间： 2024-01-18 04:21:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA957 技术参数

生命周期：	Unknown	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	Base Number Matches：	1

2SA957 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA957 2SA958

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High breakdown voltage

·High power dissipation

APPLICATIONS

·For general purpose applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-150

-200

-150

-200

-6

UNIT

2SA957

2SA958

2SA957

2SA958

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-2.0

I_B

Base current

-1.0

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

T_stg

-55~150

12 3

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