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2SA959

更新时间： 2024-11-19 05:57:35

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	43K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA959 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA959

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·For high power audio ,stepping

motor and other linear applications

·Relay or solenoid drviers

·DC-DC converters inverters

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-7

UNIT

Open base

Open collector

-10

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.98

℃/W

12 3

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