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2SA963

更新时间： 2024-02-19 09:51:25

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	136K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA963 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SA963 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA963

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC2209

·High collector power dissipation

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-50

UNIT

Open base

-40

Open collector

-5

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-1.5

-3

I_CM

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

12 3 4

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与2SA963相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA963P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA963Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA963R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA965	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
2SA965	CJ	获取价格	TO-92M
2SA965	FOSHAN	获取价格	TO-92LM
2SA965_07	TOSHIBA	获取价格	Power Amplifier ApplicationsDriver-Stage Amplifier Applications
2SA965O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92VAR
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